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Datasheet下载- 型号： MMDF1N05ER2G
- 制造商： ON Semiconductor
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MMDF1N05ER2G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDF1N05ER2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDF1N05ER2G价格参考。ON SemiconductorMMDF1N05ER2G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 50V 2A 2W 表面贴装 8-SOIC。您可以下载MMDF1N05ER2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMDF1N05ER2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 MMDF1N05ER2G 的器件由 ON Semiconductor 生产，属于 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 类别。它是一种包含多个MOSFET晶体管的集成阵列器件，通常用于需要多个开关元件集成在单一封装中的应用场合。 应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、电源开关等应用，尤其适合空间受限、要求高效率的便携式设备电源系统。 2. 负载开关：用于控制多个负载的开启与关闭，如LED驱动、风扇控制、传感器供电等。 3. 电机驱动：适用于小型电机或步进电机的驱动控制，特别是在多通道电机控制电路中具有优势。 4. 工业控制：用于PLC模块、继电器替代、自动化控制系统中的信号开关。 5. 电池管理系统（BMS）：作为电池充放电路径的开关元件，适用于多节电池组的管理电路。 6. 通信设备：在基站、路由器或交换机中的电源分配和信号路由中发挥作用。 该器件采用小型封装，集成多个MOSFET，有助于减少PCB面积，提高系统可靠性，并简化电路设计。由于其良好的导通特性和较低的导通电阻，适用于中低功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CHAN DUAL 2A 50V 8SOICMOSFET NFET SO8D 50V 200mA 300mOhm |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MMDF1N05ER2G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMDF1N05ER2G |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 12.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 12.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 300 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V to 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V to 3 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 330pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 300 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFETs- Power and Small Signal |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | MMDF1N05ER2GOSCT |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 300 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 12.5 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1.5 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 50 V |
| 漏极连续电流 | 2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A |
| 系列 | MMDF1N05E |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
