ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > APTC60TDUM35PG
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： APTC60TDUM35PG
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
APTC60TDUM35PG产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供APTC60TDUM35PG由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APTC60TDUM35PG价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APTC60TDUM35PG封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 6 N-沟道（3 相桥） Mosfet 阵列 600V 72A 416W 底座安装 SP6-P。您可以下载APTC60TDUM35PG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有APTC60TDUM35PG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
APTC60TDUM35PG 是 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology 旗下品牌）生产的一款功率 MOSFET 阵列器件，属于晶体管中的 FET 类别。该器件通常用于需要高效功率转换和控制的应用场景。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理系统：适用于工业电源、服务器电源及通信设备电源模块，作为高效率的功率开关使用。 2. 电机控制：在直流电机、无刷电机或步进电机驱动电路中，用于实现电机的高效驱动与调速控制。 3. 负载开关与电源分配：用于智能电源分配系统，如配电模块、负载切换系统中，实现对不同负载的快速、可靠控制。 4. 电池管理系统（BMS）：应用于储能系统或电动车电池组中，用于电池充放电管理与保护电路。 5. DC-DC 转换器：适用于高效率同步整流 DC-DC 转换器，提升能量转换效率，降低发热。 该器件具有高耐压、低导通电阻、高可靠性和集成多个MOSFET于单一封装的特点，适合对空间和性能都有要求的工业与通信应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET MOD TRIPLE DUAL SRC SP6-P |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 6 N-沟道（3 相桥） |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/7360-aptc60tdum35pg-rev2-pdfhttp://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-catalog |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | APTC60TDUM35PG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 5.4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 518nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 72A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SP6-P |
| 功率-最大值 | 416W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SP6 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 72A |
