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ZXMD63N03XTA产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMD63N03XTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMD63N03XTA价格参考。Diodes Inc.ZXMD63N03XTA封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 2.3A 1.04W 表面贴装 8-MSOP。您可以下载ZXMD63N03XTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMD63N03XTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXMD63N03XTA是一款MOSFET阵列器件,常用于需要高效功率管理与开关控制的应用场景。该器件集成了多个MOSFET单元,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点,适用于对能效和空间布局有较高要求的设计。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理系统:如DC-DC转换器、同步整流器等,用于提高电源转换效率。 2. 电机驱动电路:用于小型电机或步进电机的控制,提供快速开关响应和可靠负载能力。 3. LED照明驱动:在高亮度LED驱动电路中实现恒流控制与调光功能。 4. 电池充电与保护电路:用于锂电池充放电管理,保障系统安全。 5. 工业自动化设备:作为功率开关元件,控制各类传感器、执行器及继电器的动作。 该器件采用小型封装,适合高密度PCB设计,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOPMOSFET Dual 30V N Chl HDMOS |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.3 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMD63N03XTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMD63N03XTA |
| Pd-PowerDissipation | 0.87 W |
| Pd-功率耗散 | 870 mW |
| Qg-GateCharge | 8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 135 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 135 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
| 上升时间 | 4.1 ns |
| 下降时间 | 4.1 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA (最小) |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 290pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 135 毫欧 @ 1.7A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-MSOP |
| 其它名称 | ZXMD63N03XTR |
| 典型关闭延迟时间 | 9.6 ns |
| 功率-最大值 | 1.04W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 135 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
| 封装/箱体 | MSOP-8 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 1.9 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 2.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.3A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |