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  • 型号: ZXMD63N03XTA
  • 制造商: Diodes Inc.
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ZXMD63N03XTA产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMD63N03XTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMD63N03XTA价格参考。Diodes Inc.ZXMD63N03XTA封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 2.3A 1.04W 表面贴装 8-MSOP。您可以下载ZXMD63N03XTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMD63N03XTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Diodes Incorporated的ZXMD63N03XTA是一款MOSFET阵列器件,常用于需要高效功率管理与开关控制的应用场景。该器件集成了多个MOSFET单元,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点,适用于对能效和空间布局有较高要求的设计。

其主要应用场景包括:

1. 电源管理系统:如DC-DC转换器、同步整流器等,用于提高电源转换效率。
2. 电机驱动电路:用于小型电机或步进电机的控制,提供快速开关响应和可靠负载能力。
3. LED照明驱动:在高亮度LED驱动电路中实现恒流控制与调光功能。
4. 电池充电与保护电路:用于锂电池充放电管理,保障系统安全。
5. 工业自动化设备:作为功率开关元件,控制各类传感器、执行器及继电器的动作。

该器件采用小型封装,适合高密度PCB设计,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOPMOSFET Dual 30V N Chl HDMOS

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

2.3 A

Id-连续漏极电流

2.3 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMD63N03XTA-

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产品型号

ZXMD63N03XTA

Pd-PowerDissipation

0.87 W

Pd-功率耗散

870 mW

Qg-GateCharge

8 nC

Qg-栅极电荷

8 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

135 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

135 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1 V

上升时间

4.1 ns

下降时间

4.1 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA (最小)

不同Vds时的输入电容(Ciss)

290pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

135 毫欧 @ 1.7A,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-MSOP

其它名称

ZXMD63N03XTR

典型关闭延迟时间

9.6 ns

功率-最大值

1.04W

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

135 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)

封装/箱体

MSOP-8

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

正向跨导-最小值

1.9 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

2.3 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.3A

通道模式

Enhancement

配置

Dual Dual Drain

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