Datasheet下载- 型号： IRF7311TR
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7311TR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7311TR价格参考。International RectifierIRF7311TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7311TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7311TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的IRF7311TR是一款P沟道MOSFET阵列，采用双N沟道辅助FET结构，常用于电源管理和负载开关应用。该器件主要适用于便携式电子设备和低电压、高效率的电源系统。 典型应用场景包括：笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源管理单元（PMU），用于控制电池供电与系统电源之间的切换；热插拔电路中作为负载开关，防止电流冲击；DC-DC转换器中的同步整流或高端/低端开关，提升转换效率；以及电机驱动、LED驱动等需要紧凑型、低导通电阻功率开关的场合。 IRF7311TR具有低栅极电荷、低导通电阻（RDS(on)）和小尺寸封装（如SO-8），适合空间受限且对功耗敏感的设计。其集成双MOSFET结构可减少外围元件数量，提高系统可靠性。此外，该器件支持逻辑电平驱动，能直接由控制器IO口驱动，简化了驱动电路设计。 综上，IRF7311TR广泛应用于消费类电子、通信设备和工业控制等领域，尤其适合需要高效、小型化电源开关解决方案的设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF7311TR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 29 毫欧 @ 6A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.6A |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7311.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7311.spi |
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