Datasheet下载- 型号： DMN63D8LDW-13
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN63D8LDW-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN63D8LDW-13价格参考。Diodes Inc.DMN63D8LDW-13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN63D8LDW-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN63D8LDW-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN63D8LDW-13是一款双N沟道增强型MOSFET阵列，常用于需要高效开关和电源管理的应用场景。该器件适用于负载开关、电源转换器、DC-DC变换器、电机控制、电池管理系统以及便携式电子产品中的功率管理模块。由于其高集成度和低导通电阻特性，也广泛应用于汽车电子系统、工业自动化设备及消费类电子产品中，以提高能效和系统可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 220MA SOT363 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | DMN63D8LDW-13 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 22pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 870nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.8 欧姆 @ 250mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | DMN63D8LDW-13DI |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 220mA |
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