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Datasheet下载- 型号： IRFH4253DTRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRFH4253DTRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH4253DTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH4253DTRPBF价格参考。International RectifierIRFH4253DTRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 64A, 145A 31W, 50W Surface Mount PQFN (5x6)。您可以下载IRFH4253DTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH4253DTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRFH4253DTRPBF 是一款N沟道功率MOSFET阵列，属于高性能硅基MOSFET产品，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电源管理系统中。该器件采用1.8V栅极驱动兼容设计，适合与现代低电压逻辑控制器（如DSP、FPGA或微处理器）直接接口，无需额外电平转换电路。 典型应用场景包括： 1. DC-DC转换器：在笔记本电脑、服务器和通信设备的多相降压变换器中，用于实现高效率电压调节； 2. 负载开关：适用于电池供电设备中的电源管理模块，控制不同子系统的供电通断，降低待机功耗； 3. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机驱动电路中作为开关元件，提供快速响应和低损耗性能； 4. 热插拔系统：用于电信和工业设备的热插拔电源控制，防止电流冲击； 5. LED照明驱动：在高亮度LED驱动电路中实现精确的开关控制。 IRFH4253DTRPBF具有低栅极电荷（Qg）和低漏源导通电阻（Rdson），有助于减少开关损耗和传导损耗，提升整体能效。其采用TSDSON-8封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，广泛用于便携式电子设备、工业控制系统和通信基础设施等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFNMOSFET 25V Dual N-Ch 1.45mOhm 31nC 45A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 64 A |
| Id-连续漏极电流 | 64 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH4253DTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH4253DTRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 31 W, 50 W |
| Pd-功率耗散 | 31 W, 50 W |
| Qg-GateCharge | 15 nC, 47 nC |
| Qg-栅极电荷 | 15 nC, 47 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
| 上升时间 | 61 ns, 98 ns |
| 下降时间 | 15 ns, 65 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 35µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1314pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.2 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6） |
| 其它名称 | IRFH4253DTRPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns, 26 ns |
| 功率-最大值 | 31W, 50W |
| 功率耗散 | 31 W, 50 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 商标名 | FastIRFet |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 3.2 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5x6 DUAL |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 15 nC, 47 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 131 S, 164 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 25 V |
| 漏极连续电流 | 64 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/international-rectifier-irfh-power-block/3871 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 64A, 145A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
