Datasheet下载- 型号： SSM6N7002BFU,LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6N7002BFU,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6N7002BFU,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6N7002BFU,LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSM6N7002BFU,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM6N7002BFU,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SSM6N7002BFU,LF 是 Toshiba Semiconductor and Storage 生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：该型号适用于各种电源管理应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻特性有助于提高效率并减少功率损耗。 2. 电机驱动：可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的开关性能以控制电机的速度和方向。 3. 信号切换：在需要高频信号切换的应用中表现良好，如音频设备中的电平转换或信号路由。 4. 负载开关：用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑等）中的负载开关，能够快速响应并保护电路免受过流或其他异常情况的影响。 5. 电池保护：在电池管理系统（BMS）中，该 MOSFET 可用于防止过充、过放以及短路等问题，确保电池安全运行。 6. 数据通信设备：在网络路由器、交换机等通信设备中作为信号路径上的开关元件，支持高速数据传输的同时保持较低的功耗。 7. 消费类电子产品：广泛应用于各类消费级产品，比如家用电器、数码相机、游戏控制器等，为这些设备提供稳定可靠的开关功能。 总之，SSM6N7002BFU,LF 凭借其优异的电气特性和紧凑封装形式，在众多需要高效能、小体积解决方案的领域内具有广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6MOSFET 60V VDSS 20V VGSS 200mA ID 150mW |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 200 mA |
| Id-连续漏极电流 | 200 mA |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM6N7002BFU,LF- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N7002BFU点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | SSM6N7002BFU,LFSSM6N7002BFU,LF |
| Pd-PowerDissipation | 300 mW |
| Pd-功率耗散 | 300 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.1 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 17pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.1 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24813 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | US6 |
| 其它名称 | SSM6N7002BFU,LF(T |
| 典型关闭延迟时间 | 14.5 ns |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 3.3 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | TSSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 200 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 200mA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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