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- 型号： IRF7757TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7757TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7757TRPBF价格参考。International RectifierIRF7757TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7757TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7757TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF7757TRPBF 是一款N沟道MOSFET阵列，属于高性能功率MOSFET产品，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场合。该器件采用SO-8封装，内部集成了两个独立的MOSFET，具有低栅极电荷和低导通电阻（RDS(on)）特性，适合高频开关操作。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于同步整流、DC-DC转换器、降压（Buck）或升压（Boost）转换器中，提升电源转换效率，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的板级电源设计。 2. 负载开关与热插拔电路：凭借其快速响应和低损耗特性，常用于控制电源通断，保护系统免受浪涌电流影响。 3. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机驱动电路中作为开关元件，实现精确控制。 4. 电池供电设备：如便携式医疗设备、工业手持终端等，因其低功耗和高效率，有助于延长电池续航时间。 5. LED驱动与照明控制：用于PWM调光电路中的开关元件，实现高效稳定的亮度调节。 IRF7757TRPBF符合RoHS标准，无铅环保，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于对空间和能效要求较高的紧凑型电子设备。其优异的性能使其在消费电子、工业控制、通信和汽车电子等领域均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOPMOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 4.8A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.8 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7757TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7757TRPBF |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.2 W |
| Pd-功率耗散 | 1.2 W |
| Qg-GateCharge | 15 nC |
| Qg-栅极电荷 | 15 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 9.2 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1340pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 4.8A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 典型关闭延迟时间 | 36 ns |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSSOP-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.8A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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