ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SD1816S-E
Datasheet下载- 型号： 2SD1816S-E
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SD1816S-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD1816S-E价格参考。ON Semiconductor2SD1816S-E封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 100V 4A 180MHz 1W 通孔 TP。您可以下载2SD1816S-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SD1816S-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SD1816S-E 是由 ON Semiconductor 生产的 NPN 型硅晶体管，属于双极型晶体管（BJT）。它主要用于低噪声放大和高频开关应用。以下是该型号晶体管的一些典型应用场景： 1. 音频放大器：2SD1816S-E 适用于需要低噪声特性的音频放大电路。由于其出色的频率响应和低噪声性能，它可以用于前置放大器或中频放大器，确保音频信号在传输过程中保持清晰和纯净。 2. 射频（RF）电路：该晶体管具有较高的截止频率（fT），适合用于射频放大和调制解调电路。例如，在无线通信设备、无线电接收器和其他高频电子设备中，2SD1816S-E 可以用作增益级或缓冲级，以提高信号质量和稳定性。 3. 开关电源：在开关模式电源（SMPS）中，2SD1816S-E 可以用作驱动级或控制级晶体管。它的快速开关特性和低饱和电压有助于提高电源转换效率，减少能量损耗。 4. 传感器接口电路：在各种传感器接口电路中，2SD1816S-E 可以作为信号调理元件，用于放大微弱的传感器输出信号。这在工业自动化、医疗设备和环境监测系统中非常常见。 5. 脉宽调制（PWM）控制器：2SD1816S-E 还可以用于 PWM 控制电路，特别是在电机驱动和 LED 照明控制领域。通过精确调节占空比，它可以实现对负载电流或电压的高效控制。 总之，2SD1816S-E 晶体管凭借其优异的电气特性，广泛应用于需要高性能、低噪声和高频响应的各种电子设备中。无论是消费电子产品还是工业控制系统，它都能提供可靠且高效的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 4A 100V TP两极晶体管 - BJT BIP NPN 4A 100V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SD1816S-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SD1816S-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 70 @ 500mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TP |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 130 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 20 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 4 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 系列 | 2SD1816 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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