Datasheet下载- 型号： SI4963BDY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4963BDY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4963BDY-T1-GE3价格参考。VishaySI4963BDY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4963BDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4963BDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4963BDY-T1-GE3 是一款包含两个P沟道MOSFET的阵列器件，常用于需要高效电源管理和负载开关控制的应用场景。其典型应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、稳压模块及电池供电设备中的高效电源控制。 2. 负载开关：用于控制高电流负载的开启与关闭，如电机驱动、LED照明和工业控制系统。 3. 逆变器与电源转换系统：在UPS（不间断电源）、太阳能逆变器等系统中实现电能转换与调节。 4. 汽车电子：应用于车载电源系统、车身控制模块（BCM）以及电动车窗、座椅等子系统的电源控制。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电脑、智能家电等设备中的电源管理电路。 该器件采用小型封装，具备低导通电阻、高可靠性与良好的热稳定性，适合空间受限但要求高性能的设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4963BDY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 32 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.9A |
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