Datasheet下载- 型号： SI4562DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4562DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4562DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4562DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4562DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4562DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4562DY-T1-GE3 是一款P沟道、30V、-8.9A、采用1.8W PowerPAK SO-8封装的MOSFET阵列器件，内部集成了两个独立的P沟道MOSFET。该型号主要应用于需要高效率、小尺寸和低导通电阻的电源管理场合。 典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源开关和负载切换电路；电池供电系统中的反向电流保护和电池极性保护；热插拔控制电路；DC-DC转换器中的同步整流或高端开关；以及各类低电压、中等电流的功率开关应用。其低栅极电荷和优异的开关性能有助于提升系统能效，减少发热。 SI4562DY-T1-GE3 采用PowerPAK SO-8封装，具有良好的散热性能和空间利用率，适合对PCB面积要求严格的紧凑型设计。同时，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，广泛用于消费电子、工业控制、通信设备和便携式医疗仪器等领域。由于其双MOSFET结构，还可用于H桥驱动或互补开关拓扑中，实现更灵活的电路设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4562DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 7.1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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