Datasheet下载- 型号： SI1024X-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1024X-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1024X-T1-E3价格参考。VishaySI1024X-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1024X-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1024X-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1024X-T1-E3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场合。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、电源开关和负载管理，尤其适合便携式设备和电池供电系统，如笔记本电脑、平板和智能手机。 2. 电机控制：可用于小型电机、步进电机或直流电机的驱动电路，实现高效、快速的开关控制。 3. 负载开关与继电器替代：在需要高可靠性和长寿命的系统中，SI1024X-T1-E3可替代传统机械继电器，用于控制高电流负载的通断。 4. LED照明驱动：适用于LED背光、照明系统中的恒流或PWM调光控制，提供高效、稳定的电流路径。 5. 工业自动化与传感器电路：用于工业控制系统中的信号切换、传感器信号调理或执行器驱动。 该器件采用小型封装，导通电阻低，适合高密度PCB设计，适用于高效率和空间受限的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 485MA SOT563F |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1024X-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.75nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 700 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-89-6 |
| 其它名称 | SI1024X-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 485mA |
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