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Datasheet下载- 型号： SH8K22TB1
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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SH8K22TB1产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SH8K22TB1由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SH8K22TB1价格参考。ROHM SemiconductorSH8K22TB1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 45V 4.5A 2W 表面贴装 8-SOP。您可以下载SH8K22TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SH8K22TB1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor（罗姆半导体）的型号 SH8K22TB1 属于 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 类别。该器件集成了多个MOSFET单元，适用于需要高效功率控制和高集成度的应用场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理系统：用于DC-DC转换器、负载开关或电池管理系统中，实现高效的电能分配与控制。 2. 电机驱动电路：适用于小型电机或步进电机的驱动控制，常见于办公自动化设备、家用电器和工业自动化系统。 3. LED照明控制：可用于LED背光或照明系统的调光与开关控制，提供稳定的电流驱动能力。 4. 汽车电子：如车载充电系统、车灯控制模块等，因其具备较高的可靠性和集成度，适合对空间和性能有要求的汽车应用。 5. 消费类电子产品：如智能音箱、智能家电、便携式设备等，用于电源切换或外围设备驱动。 该器件采用小型封装，有助于减少PCB面积，同时具备良好的热稳定性和电气特性，适合高密度、高性能要求的设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8MOSFET Nch+Nch 45V 4.5A MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor SH8K22TB1- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SH8K22TB1 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 46 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 46 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 45 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 45 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.6nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 46 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | SH8K22TB1CT |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOP-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 3.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 45V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A |
