Datasheet下载- 型号： SI7216DN-T1-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7216DN-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7216DN-T1-E3价格参考￥4.13-￥4.92。VishaySI7216DN-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7216DN-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7216DN-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI7216DN-T1-E3 是由 Vishay Siliconix 提供的一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，其应用场景广泛适用于需要高效开关和低导通电阻的电路设计。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理： 该器件适合用于 DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理等电源管理应用中。由于其低导通电阻（Rds(on)），能够减少功率损耗，提高效率。 2. 电机控制： 在小型电机驱动电路中，SI7216DN-T1-E3 可作为开关元件，实现对电机速度和方向的精准控制。其双 MOSFET 结构非常适合 H 桥或半桥拓扑。 3. 信号切换： 在多路复用器或多路选择器电路中，这款 MOSFET 阵列可用于信号路径切换，确保高频率下的快速响应和低插入损耗。 4. 便携式设备： 由于其小尺寸封装（如 DFN 封装）和较低的功耗特性，非常适合应用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中的电源开关和保护电路。 5. 保护电路： 在过流保护、短路保护及热插拔电路中，该器件可以提供快速可靠的切断功能，保护系统免受异常电流的影响。 6. 音频放大器： 在某些低功率音频放大器设计中，MOSFET 可用于输出级以改善音质并降低失真。 总之，SI7216DN-T1-E3 凭借其出色的电气性能和紧凑型封装，在各种消费类电子产品、工业自动化设备以及通信设施等领域都有广泛应用潜力。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8MOSFET DUAL N-CH 40V(D-S) |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7216DN-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?73771 |
| 产品型号 | SI7216DN-T1-E3SI7216DN-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 32 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 32 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 142 ns, 57 ns |
| 下降时间 | 7 ns, 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 670pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 32 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| 其它名称 | SI7216DN-T1-E3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns, 19 ns |
| 功率-最大值 | 20.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 50 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI7216DN-E3 |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
