Datasheet下载- 型号： SI1563EDH-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1563EDH-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1563EDH-T1-GE3价格参考。VishaySI1563EDH-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1563EDH-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1563EDH-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1563EDH-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，广泛应用于需要高效功率开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 用于 DC-DC 转换器中的同步整流电路，提升效率并降低功耗。 - 在负载开关中作为开关元件，实现快速开启和关闭功能。 - 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路，防止过流、短路或反向电流。 2. 电机控制 - 应用于小型直流电机驱动电路，提供高效的开关控制。 - 在 H 桥或半桥驱动电路中用作功率开关，实现电机正反转和速度调节。 3. 消费电子设备 - 在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中用作负载开关或电源切换开关。 - USB 接口的过流保护和电源管理。 4. 通信设备 - 用于网络交换机、路由器等设备中的电源分配和保护电路。 - 实现信号路径的切换和隔离功能。 5. 工业应用 - 在工业自动化设备中作为功率开关，控制继电器、传感器或其他负载。 - 用于 LED 驱动电路，提供高效率和低热损耗。 6. 汽车电子 - 在车载电子系统中用于电源管理和负载控制。 - 适用于汽车信息娱乐系统、导航设备以及车身控制模块 (BCM)。 该器件具有低导通电阻（典型值为 30 mΩ）、小封装尺寸（SOT-23-6）和出色的热性能，非常适合对空间和效率要求较高的应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1563EDH-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 280 毫欧 @ 1.13A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 （SOT-363） |
| 功率-最大值 | 570mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.13A，880mA |
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