图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: SI1539DL-T1-E3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

SI1539DL-T1-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI1539DL-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1539DL-T1-E3价格参考。VishaySI1539DL-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 540mA,420mA 270mW 表面贴装 SC-70-6(SOT-363)。您可以下载SI1539DL-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1539DL-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI1539DL-T1-E3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,广泛应用于需要高效开关和低功耗的电子电路中。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 负载开关:用于便携式设备(如智能手机、平板电脑)中的负载开关,控制电流流向特定负载,降低功耗。
   - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中作为同步整流开关,提高效率并减少热量产生。
   - 电池保护:在电池管理系统中,通过快速开关功能防止过流、过充或短路。

 2. 信号切换
   - 音频信号切换:在多输入音频设备中,用于切换不同的音频源,同时保持低失真。
   - 数据线路切换:在 USB 或其他高速数据接口中,用于动态切换信号路径,确保低阻抗和高可靠性。

 3. 电机驱动
   - 小型电机控制:适用于玩具、家用电器等场景中的小型直流电机驱动,提供高效的开关性能。
   - H 桥电路:用于简单的双向电机控制,支持正转和反转操作。

 4. 消费电子
   - 智能设备:在智能家居设备(如智能灯泡、恒温器)中,用于功率调节和节能控制。
   - 游戏设备:在游戏控制器或外设中,用于精确的电源管理和信号切换。

 5. 工业应用
   - 传感器接口:在工业自动化系统中,用于控制传感器的供电或信号传输。
   - 通信模块:在无线通信模块中,用于优化功率分配和信号隔离。

 特性优势
- 低导通电阻 (Rds(on)):减少功率损耗,提高整体效率。
- 小封装尺寸:适合空间受限的设计,如移动设备和可穿戴设备。
- 高开关速度:支持高频应用,减少电磁干扰 (EMI) 和热损耗。

综上所述,SI1539DL-T1-E3 适用于各种需要高性能、低功耗和紧凑设计的应用场景,特别是在消费电子、通信设备和工业控制领域表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N/P-CH 30V 540MA SC70-6MOSFET 30 0.63/0.45

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

630 mA

Id-连续漏极电流

630 mA

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?71250

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1539DL-T1-E3TrenchFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

SI1539DL-T1-E3SI1539DL-T1-E3

Pd-PowerDissipation

300 mW

Pd-功率耗散

300 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

410 mOhms, 800 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

410 mOhms, 800 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

8 ns, 8 ns

下降时间

8 ns, 8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.6V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

1.4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

480 毫欧 @ 590mA,10V

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-70-6 (SOT-363)

其它名称

SI1539DL-T1-E3TR
SI1539DLT1E3

典型关闭延迟时间

8 ns, 5 ns

功率-最大值

270mW

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

540mA,420mA

通道模式

Enhancement

配置

Complementary

零件号别名

SI1539DL-E3

推荐商品

型号:NTZD3155CT5G

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:CSD87351Q5D

品牌:Texas Instruments

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:NTMD6601NR2G

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:TC8020K6-G-M937

品牌:Microchip Technology

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:NTZD5110NT1G

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:AON6970

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:DMN5L06DMK-7

品牌:Diodes Incorporated

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:ALD1116SAL

品牌:Advanced Linear Devices Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
SI1539DL-T1-E3 相关产品

DMN2050LFDB-7

品牌:Diodes Incorporated

价格:

IRF7504TRPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

SI9933CDY-T1-E3

品牌:Vishay Siliconix

价格:¥1.72-¥2.32

DMN4027SSD-13

品牌:Diodes Incorporated

价格:

SIS990DN-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

价格:¥3.06-¥4.55

SI6925ADQ-T1-E3

品牌:Vishay Siliconix

价格:

NTLJD3115PT1G

品牌:ON Semiconductor

价格:

ZXMD63N02XTA

品牌:Diodes Incorporated

价格: