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SI1539DL-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1539DL-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1539DL-T1-E3价格参考。VishaySI1539DL-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 540mA,420mA 270mW 表面贴装 SC-70-6(SOT-363)。您可以下载SI1539DL-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1539DL-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1539DL-T1-E3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,广泛应用于需要高效开关和低功耗的电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 负载开关:用于便携式设备(如智能手机、平板电脑)中的负载开关,控制电流流向特定负载,降低功耗。 - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中作为同步整流开关,提高效率并减少热量产生。 - 电池保护:在电池管理系统中,通过快速开关功能防止过流、过充或短路。 2. 信号切换 - 音频信号切换:在多输入音频设备中,用于切换不同的音频源,同时保持低失真。 - 数据线路切换:在 USB 或其他高速数据接口中,用于动态切换信号路径,确保低阻抗和高可靠性。 3. 电机驱动 - 小型电机控制:适用于玩具、家用电器等场景中的小型直流电机驱动,提供高效的开关性能。 - H 桥电路:用于简单的双向电机控制,支持正转和反转操作。 4. 消费电子 - 智能设备:在智能家居设备(如智能灯泡、恒温器)中,用于功率调节和节能控制。 - 游戏设备:在游戏控制器或外设中,用于精确的电源管理和信号切换。 5. 工业应用 - 传感器接口:在工业自动化系统中,用于控制传感器的供电或信号传输。 - 通信模块:在无线通信模块中,用于优化功率分配和信号隔离。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on)):减少功率损耗,提高整体效率。 - 小封装尺寸:适合空间受限的设计,如移动设备和可穿戴设备。 - 高开关速度:支持高频应用,减少电磁干扰 (EMI) 和热损耗。 综上所述,SI1539DL-T1-E3 适用于各种需要高性能、低功耗和紧凑设计的应用场景,特别是在消费电子、通信设备和工业控制领域表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N/P-CH 30V 540MA SC70-6MOSFET 30 0.63/0.45 |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 630 mA |
Id-连续漏极电流 | 630 mA |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71250 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1539DL-T1-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI1539DL-T1-E3SI1539DL-T1-E3 |
Pd-PowerDissipation | 300 mW |
Pd-功率耗散 | 300 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 410 mOhms, 800 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 410 mOhms, 800 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 8 ns, 8 ns |
下降时间 | 8 ns, 8 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.6V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.4nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 480 毫欧 @ 590mA,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SC-70-6 (SOT-363) |
其它名称 | SI1539DL-T1-E3TR |
典型关闭延迟时间 | 8 ns, 5 ns |
功率-最大值 | 270mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SOT-363-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 540mA,420mA |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Complementary |
零件号别名 | SI1539DL-E3 |