Datasheet下载- 型号： NTMD6601NR2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMD6601NR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMD6601NR2G价格参考。ON SemiconductorNTMD6601NR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMD6601NR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMD6601NR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMD6601NR2G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双N沟道增强型MOSFET阵列器件，广泛应用于需要高效开关和电源管理的场景。其典型应用场景包括： 1. 电源管理系统：适用于笔记本电脑、平板电脑及移动设备中的DC-DC转换器、负载开关等，支持高效能、低功耗设计。 2. 电机驱动电路：可用于小型电机或步进电机的控制，实现快速开关操作，提高响应速度并降低能耗。 3. 电池供电设备：如手持设备、便携式仪器等，利用其低导通电阻和小封装优势，提升电池使用效率。 4. LED背光与照明驱动：在LED背光调节或照明系统中作为开关元件，实现亮度控制与节能功能。 5. 工业自动化与控制系统：用于继电器替代、传感器接口电路等，提供高可靠性和稳定性。 该器件采用紧凑的8引脚SOIC封装，具备高集成度和良好的热性能，适合空间受限且对效率有较高要求的设计应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 1.1A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMD6601NR2G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 215 毫欧 @ 2.2A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.1A |
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