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Datasheet下载- 型号： PHC21025,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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PHC21025,118产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHC21025,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHC21025,118价格参考。NXP SemiconductorsPHC21025,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO。您可以下载PHC21025,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHC21025,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHC21025,118 是 NXP USA Inc. 推出的双通道 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET 阵列（采用 TSSOP-8 封装），内置ESD保护和匹配的栅极阈值，适用于空间受限、需高效开关控制的中低功率场景。典型应用场景包括： - DC-DC 电源管理：用于同步降压转换器的高边/低边驱动（如 POL 模块）、负载开关及电源路径管理，支持 20V VDS、4.5A 连续漏极电流（ID），导通电阻低至 25mΩ（VGS=4.5V），提升转换效率。 - 电池供电设备：在便携式医疗设备、无线传感器节点、TWS 耳机充电仓等中，用作电池充放电保护、负载切换或反向电流阻断，其逻辑电平兼容性（1.8V–4.5V 驱动）便于与 MCU/PMIC 直接连接。 - 工业与消费类接口电路：如 LED 背光驱动（双路独立控制）、小功率电机（风扇/振动马达）H桥驱动（配合外部P-MOS或使用半桥配置）、I²C/SPI 总线电平转换缓冲等。 - 热插拔与电源排序：利用其快速开关特性（典型 tON/tOFF <20ns）和内置体二极管，实现板级电源时序控制与浪涌电流抑制。 该器件不适用于高压（>30V）、大电流（>6A）或高频射频场景；设计时需注意PCB散热及栅极驱动稳定性。总体定位为高集成度、高可靠性中端开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PHC21025,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 2.2A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 568-11059-6 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A，2.3A |
