图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： NTLUD3A50PZTBG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLUD3A50PZTBG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLUD3A50PZTBG价格参考。ON SemiconductorNTLUD3A50PZTBG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLUD3A50PZTBG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLUD3A50PZTBG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NTLUD3A50PZTBG是一款P沟道MOSFET阵列器件，属于晶体管-FET类别。该器件集成了三个独立的P沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和良好的热性能。 NTLUD3A50PZTBG主要适用于需要高能效和紧凑设计的电源管理场景。典型应用包括： 1. 负载开关：用于控制多个电源域的开启与关闭，如便携式设备中的LCD背光、摄像头模块或外设供电管理； 2. 电池供电设备：广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，有助于降低待机功耗，延长电池续航； 3. 电源多路复用与冗余切换：在双电源系统中实现自动切换，提高系统可靠性； 4. 电机驱动与继电器替代：用于小型直流电机控制或固态继电器方案，减少电磁干扰和机械磨损； 5. 工业与消费类电子产品：如智能家居设备、传感器模块和低功率电源管理系统。 该器件采用小型化封装（如DPAK），适合空间受限的应用，同时具备良好的热稳定性和ESD保护能力，提升了系统可靠性。其低阈值电压特性也便于与3.3V或5V逻辑电路直接接口，简化驱动设计。 综上，NTLUD3A50PZTBG是一款高性能、高集成度的P沟道MOSFET阵列，适用于对能效、尺寸和可靠性有较高要求的中低功率电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 5.6A UDFN |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NTLUD3A50PZTBG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 920pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NTLUD3A50PZTBG 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商