ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > IRF7316PBF
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Datasheet下载- 型号： IRF7316PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7316PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7316PBF价格参考。International RectifierIRF7316PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 4.9A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7316PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7316PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IRF7316PBF是一款MOSFET阵列晶体管，广泛应用于各种电力电子设备中。该型号具有双N沟道MOSFET结构，能够提供高效、低损耗的开关性能。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： - IRF7316PBF常用于DC-DC转换器和开关电源（SMPS）中，作为功率开关元件。它能够在高频条件下高效工作，降低能耗并提高系统的整体效率。 - 适用于笔记本电脑、手机充电器等便携式设备的电源管理系统。 2. 电机驱动： - 在小型电机驱动应用中，如风扇、泵和电动工具，IRF7316PBF可以实现精确的速度控制和高效的能量传递。 - 它的低导通电阻特性有助于减少发热，延长设备使用寿命。 3. 电池管理系统（BMS）： - 用于锂电池组中的充放电保护电路，确保电池在安全范围内工作。通过快速响应过流、短路等异常情况，保护电池不受损坏。 - 适用于电动汽车、储能系统等需要高可靠性的场合。 4. 消费电子产品： - 广泛应用于家用电器、音频设备、LED照明等领域，作为信号放大或开关控制的关键组件。 - 其紧凑的封装形式（SOP-8）适合于对空间要求较高的产品设计。 5. 工业自动化： - 在PLC控制器、传感器接口和其他工业控制系统中，IRF7316PBF可用于信号隔离和功率放大，确保系统的稳定性和可靠性。 - 适用于工厂自动化、机器人技术等复杂环境下的应用。 总之，IRF7316PBF凭借其优异的电气性能和可靠性，在众多领域展现了广泛的应用潜力，特别是在需要高效能、低功耗和高集成度的电力电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOICMOSFET DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4.9 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4.9 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7316PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7316PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 23 nC |
| Qg-栅极电荷 | 23 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 58 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 58 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 710pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 58 毫欧 @ 4.9A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 34 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 58 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 23 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
| 漏极连续电流 | - 4.9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.9A |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7316.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7316.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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