Datasheet下载- 型号： SI5908DC-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5908DC-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5908DC-T1-E3价格参考￥3.72-￥3.83。VishaySI5908DC-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5908DC-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5908DC-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5908DC-T1-E3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，具有低导通电阻和高开关速度的特点。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理 - 用于 DC-DC 转换器中的同步整流电路，提高效率并降低功耗。 - 在负载开关中作为电子开关，控制电源的开启和关闭。 - 适用于电池管理系统（BMS），实现电池充放电保护。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，提供高效的功率传输。 - 在 H 桥或半桥电路中作为开关元件，控制电机的正反转和速度。 3. 信号切换 - 在多路复用器或多路选择器中，用于信号路径的切换。 - 适用于音频设备中的信号隔离或切换，减少干扰。 4. 负载切换 - 用于消费电子产品的负载切换，例如 USB 充电器、便携式设备等。 - 在汽车电子中，用于控制车灯、雨刷器或其他负载的通断。 5. 保护电路 - 用于过流保护、短路保护和过温保护电路。 - 在热插拔应用中，防止电流浪涌对系统造成损害。 6. 通信设备 - 在网络交换机、路由器等通信设备中，用于电源管理和信号切换。 - 提供高效的小信号放大功能，适用于低噪声要求的应用。 SI5908DC-T1-E3 的低导通电阻（Rds(on)）和小封装（TSOP-6）使其非常适合空间受限的设计，同时其优异的电气性能确保了高效和可靠的运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8MOSFET 20V 5.9A 2.1W 40mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.9 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5908DC-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI5908DC-T1-E3SI5908DC-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 36 ns |
| 下降时间 | 36 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 其它名称 | SI5908DC-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 40 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 5.9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.4A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI5908DC-E3 |
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