图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： DMN2005DLP4K-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2005DLP4K-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2005DLP4K-7价格参考。Diodes Inc.DMN2005DLP4K-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN2005DLP4K-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2005DLP4K-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMN2005DLP4K-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管，属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）阵列类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理 - DMN2005DLP4K-7 可用于各种电源管理电路中，例如 DC-DC 转换器、开关稳压器和负载开关。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率并减少功率损耗。 - 在电池供电设备中，这款 MOSFET 阵列可以用来实现高效的电源切换和保护功能。 2. 信号切换 - 该器件适用于需要高速信号切换的场合，例如数据通信接口（如 USB、UART 等）中的信号路径控制。 - 它的低电容特性和快速开关速度使其非常适合用于高频信号切换应用。 3. 电机驱动与控制 - 在小型电机驱动应用中，DMN2005DLP4K-7 可以作为驱动电路的一部分，用于控制电机的启动、停止和速度调节。 - 其紧凑的封装形式适合空间受限的设计，例如消费电子设备中的微型电机控制。 4. 负载保护 - 该 MOSFET 阵列可用于过流保护、短路保护和热关断保护等电路中，确保系统在异常情况下不会受到损坏。 - 它能够承受一定的瞬态电流冲击，从而增强系统的鲁棒性。 5. 消费电子产品 - 这款器件常用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式电子设备中，用于管理电源分配和信号路由。 - 它的小型化封装（如 LLP4 封装）非常适合对尺寸要求严格的消费类电子产品。 6. 工业与汽车应用 - 在工业自动化领域，DMN2005DLP4K-7 可用于传感器接口、继电器驱动和信号隔离等场景。 - 对于汽车电子应用，它可能被用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）或 LED 照明控制中。 总结 DMN2005DLP4K-7 的主要优势在于其高效能、小尺寸和可靠性，适用于多种需要高性能电源管理和信号切换的应用场景。具体使用时需根据实际电路需求选择合适的外围元件，并遵循制造商提供的设计指南以确保最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 300MA 6-DFNMOSFET N-Channel |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 200 mA |
| Id-连续漏极电流 | 200 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN2005DLP4K-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN2005DLP4K-7 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 350 mW |
| Pd-功率耗散 | 350 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1500 mOhms at 4 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 欧姆 @ 10mA，4V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-DFN1310H4（1.0x1.3） |
| 其它名称 | DMN2005DLP4K7 |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-SMD，无引线 |
| 封装/箱体 | DFN1310-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 300mA |
| 系列 | DMN2005D |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
