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  • 型号: ZXMD63C02XTA
  • 制造商: Diodes Inc.
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ZXMD63C02XTA产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMD63C02XTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMD63C02XTA价格参考。Diodes Inc.ZXMD63C02XTA封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, Mosfet Array N and P-Channel 20V 1.04W Surface Mount 8-MSOP。您可以下载ZXMD63C02XTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMD63C02XTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Diodes Incorporated 的 ZXMD63C02XTA 是一款P沟道MOSFET阵列,内含两个独立的P沟道MOSFET器件,采用小型化SOT563封装,具有低导通电阻、高开关效率和良好的热稳定性。该器件主要适用于对空间和功耗敏感的便携式电子设备。

典型应用场景包括:  
1. 电源管理:常用于电池供电设备中的负载开关或电源切换电路,实现对不同模块的上电/断电控制,降低待机功耗。  
2. 便携式电子产品:广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备(如智能手表)中,用于电压切换、信号路径选择或背光驱动控制。  
3. DC-DC转换电路:在同步整流或电压反向保护电路中作为开关元件,提高电源转换效率。  
4. 接口电平转换与信号控制:配合N沟道MOSFET构成电平移位电路,用于I²C、UART等低速通信接口的电压匹配。  
5. LED驱动与控制:可用于小型LED指示灯或背光模块的开关控制,实现精确的通断时序管理。

ZXMD63C02XTA凭借其小尺寸、低静态功耗和高可靠性,特别适合高密度PCB布局和对能效要求较高的消费类电子和工业控制应用。同时,其增强型P沟道特性简化了驱动电路设计,有助于提升系统整体稳定性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOPMOSFET 20V N&P Chnl HDMOS

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

2.4 A

Id-连续漏极电流

2.4 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMD63C02XTA-

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产品型号

ZXMD63C02XTA

Pd-PowerDissipation

0.87 W

Pd-功率耗散

870 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

150 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

150 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

8.1 ns, 9.6 ns

下降时间

8.1 ns, 9.6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

700mV @ 250µA (最小)

不同Vds时的输入电容(Ciss)

350pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

130 毫欧 @ 1.7A,4.5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-MSOP

其它名称

ZXMD63C02X
ZXMD63C02XCT

典型关闭延迟时间

13.5 ns, 16.4 ns

功率-最大值

1.04W

包装

剪切带 (CT)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

150 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)

封装/箱体

MSOP-8

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

20 V

漏极连续电流

2.4 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

-

通道模式

Enhancement

配置

Dual Dual Drain

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