ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 > FDMA6023PZT
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDMA6023PZT产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMA6023PZT由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMA6023PZT价格参考。Fairchild SemiconductorFDMA6023PZT封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 3.6A 700mW 表面贴装 6-MicroFET(2x2)。您可以下载FDMA6023PZT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMA6023PZT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMA6023PZT 是安森美(ON Semiconductor)生产的晶体管 - FET/MOSFET 阵列型号,适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 FDMA6023PZT 可用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和负载开关等电源管理应用中。它的低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高效率,适合需要高效能电源管理的设备。 2. 电机控制 在小型电机驱动应用中,该 MOSFET 阵列可以作为开关元件使用,支持电机的正转、反转及速度调节功能。例如,它可用于消费电子中的风扇控制或玩具电机驱动。 3. 信号切换 由于其小型化封装和多通道设计,FDMA6023PZT 可用于多路信号切换电路中,如音频信号切换、数据线路切换或传感器信号切换。 4. 电池保护与管理 在便携式电子设备中,该器件可用来实现电池充放电保护功能,包括过流保护、短路保护以及防止反向电流等功能。 5. 背光驱动 对于 LCD 显示屏的背光驱动电路,FDMA6023PZT 可以用作开关元件,帮助调节 LED 亮度并优化能耗。 6. 通信设备 在通信领域,这款 MOSFET 阵列可用于信号放大器的偏置控制或其他相关开关功能,确保信号传输的稳定性。 7. 汽车电子 尽管 FDMA6023PZT 主要针对消费类电子产品设计,但在某些低功率汽车子系统中(如车内照明或小功率负载控制),也可以找到其应用。 总之,FDMA6023PZT 的特点使其非常适合需要紧凑型设计、高效率和多通道控制的应用场合,广泛应用于消费电子、工业自动化、通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 20V 6MICROFETMOSFET Dual P-Ch, -20V PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.6 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMA6023PZTPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMA6023PZT |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1400 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.4 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms at 4.5 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 885pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 60 毫欧 @ 3.6A,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-MicroFET(2x2) |
| 其它名称 | FDMA6023PZTCT |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 40 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | MicroFET-6 2x2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.6A |
| 系列 | FDMA6023PZT |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |