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SI4511DY-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4511DY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4511DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4511DY-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 7.2A,4.6A 1.1W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4511DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4511DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4511DY-T1-GE3 是一款双N沟道 MOSFET 阵列器件,常用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,提供高效的能量传输与低导通电阻,提升系统能效。 2. 电机驱动:在小型电机或步进电机驱动电路中作为开关元件,实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 电池供电设备:广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携式电子产品中的电源切换与保护电路。 4. 负载开关与热插拔控制:用于服务器、通信设备中,控制电源的通断,防止浪涌电流,提高系统稳定性。 5. 工业自动化与控制:在PLC(可编程逻辑控制器)或其他工业控制系统中,用于驱动继电器、传感器或执行器。 该器件采用小型封装(如TSOP),节省空间且便于高密度布局,适合高性能、低电压及便携式应用的设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4511DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14.5 毫欧 @ 9.6A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4511DY-T1-GE3TR |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.2A,4.6A |