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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6900AS由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6900AS价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6900AS封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDS6900AS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS6900AS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS6900A 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 MOSFET 阵列,属于晶体管 - FET、MOSFET - 阵列类别。该器件具有以下应用场景: 1. 电源管理:FDS6900A 适用于各种电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、负载开关和电压调节模块。其低导通电阻 (Rds(on)) 特性有助于减少功率损耗,提高效率。 2. 电机控制:在小型电机驱动中,FDS6900A 可用于实现高效的开关控制,适用于消费电子设备中的风扇、泵和其他小型电机。 3. 电池保护:由于其低导通电阻和快速开关能力,FDS6900A 可用于电池管理系统中的充放电保护电路,确保电池的安全性和寿命。 4. 信号切换:在需要高速信号切换的应用中,如数据通信或音频信号切换,FDS6900A 的快速开关速度和低电容特性使其成为理想选择。 5. 便携式设备:该器件的小型封装和高效性能使其非常适合便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理单元。 6. 工业自动化:在工业领域,FDS6900A 可用于可编程逻辑控制器 (PLC)、传感器接口和继电器替代方案,提供可靠的开关功能。 7. 照明控制:在 LED 照明系统中,FDS6900A 可用于驱动电路和调光控制,实现高效节能的照明解决方案。 总之,FDS6900A 凭借其出色的电气特性和紧凑的封装设计,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域,为各种电路提供高效、可靠的开关和控制功能。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOICMOSFET Dual NCh PowerTrench |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6.9 A |
Id-连续漏极电流 | 6.9 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS6900ASPowerTrench®, SyncFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDS6900AS |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 22 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 22 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 4 ns |
下降时间 | 3 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 600pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 27 毫欧 @ 6.9A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
其它名称 | FDS6900ASCT |
典型关闭延迟时间 | 23 ns |
功率-最大值 | 900mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 187 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 25 S, 21 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.9A,8.2A |
系列 | FDS6900 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |
零件号别名 | FDS6900AS_NL |