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Datasheet下载- 型号： EM6K6T2R
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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EM6K6T2R产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EM6K6T2R由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EM6K6T2R价格参考。ROHM SemiconductorEM6K6T2R封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 300mA 150mW 表面贴装 EMT6。您可以下载EM6K6T2R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EM6K6T2R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的EM6K6T2R是一款晶体管阵列，属于FET/MOSFET类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理：EM6K6T2R适用于各种电源管理电路，例如DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）和负载开关。其低导通电阻特性有助于提高效率并减少功率损耗。 2. 信号切换：在需要高频信号切换的场合，如音频设备、通信系统和数据传输接口中，EM6K6T2R可以实现快速且可靠的信号切换功能。 3. 电机控制：用于小型直流电机或步进电机的驱动与控制，支持精准的速度调节及方向控制，常见于家用电器、办公自动化设备和工业控制领域。 4. 保护电路：构建过流保护、短路保护和热关断保护等功能模块，确保系统运行安全稳定。 5. 便携式电子设备：由于其紧凑的设计和高效性能，非常适合应用于智能手机、平板电脑和其他电池供电的便携式电子产品中。 6. 汽车电子：可用于车载信息娱乐系统、车身控制系统以及新能源汽车中的电池管理系统等。 总之，EM6K6T2R凭借其优异的电气特性和可靠性，在众多消费类电子、工业控制及汽车电子应用中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 300MA EMT6MOSFET Small Signal Dual N-CH 20V .3A .15W |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 300 mA |
| Id-连续漏极电流 | 300 mA |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor EM6K6T2R- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | EM6K6T2R |
| Pd-PowerDissipation | 150 mW |
| Pd-功率耗散 | 150 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1000 mOhms at 4 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 25pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 欧姆 @ 300mA，4V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | EMT6 |
| 其它名称 | EM6K6T2RDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1000 mOhms at 4 V |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | EMT-6 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/846-1001-KIT/846-1001-KIT-ND/2277302 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 300 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 300mA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
