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Datasheet下载- 型号： IRF7317PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7317PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7317PBF价格参考￥3.31-￥8.87。International RectifierIRF7317PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7317PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7317PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF7317PBF是由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款晶体管，属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）阵列类别。该型号主要应用于需要高效功率管理、低功耗和高开关速度的场景。以下是其典型应用场景： 1. 便携式电子设备： IRF7317PBF适用于手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式电子设备中的电源管理模块。它能够提供高效的负载切换和电压调节功能，支持设备在不同工作模式下的低功耗运行。 2. 电池管理系统（BMS）： 在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制、过流保护和短路保护。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高系统的整体效率。 3. DC-DC转换器： 作为同步整流开关，IRF7317PBF广泛用于降压（Buck）或升压（Boost）DC-DC转换器中。其快速开关特性和低导通电阻可显著提升转换效率，降低热损耗。 4. 电机驱动： 在小型电机驱动应用中，如无人机、风扇、电动工具等，IRF7317PBF可以实现精确的电流控制和高效的功率传输，同时保持较小的体积和较低的发热。 5. 负载开关： 该器件常用于负载开关设计，以实现对电路中特定负载的动态开启和关闭。其低导通电阻和快速响应时间确保了开关过程中的低损耗和高稳定性。 6. USB充电端口保护： 在现代USB充电接口中，IRF7317PBF可用于过流保护和短路保护，确保充电过程的安全性，同时支持快速充电功能。 总结来说，IRF7317PBF凭借其优异的性能参数（如低导通电阻、高开关速度和小封装尺寸），非常适合应用于消费电子、通信设备、工业自动化和汽车电子等领域，特别是在需要高效功率管理和紧凑设计的场景中表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N+P 20V 5.3A 8-SOICMOSFET 20V DUAL N / P CH 12V VGS MAX |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.6 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7317PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7317PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 18 nC |
| Qg-栅极电荷 | 18 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 29 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 29 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 17 ns, 40 ns |
| 下降时间 | 31 ns, 49 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 29 毫欧 @ 6A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns, 42 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 29 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 18 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 6.6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.6A，5.3A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | 12 V |
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