Datasheet下载- 型号： SI1970DH-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1970DH-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1970DH-T1-GE3价格参考。VishaySI1970DH-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1970DH-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1970DH-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1970DH-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET阵列，采用双N沟道配置（实际为P沟道），常用于低电压、低功耗的电源管理与开关控制场景。该器件封装小型化（如TSOP-6或SOT-363），适合空间受限的便携式设备。 主要应用场景包括： 1. 电池供电设备：广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，用于电源开关、负载开关或电池切换控制，因其低导通电阻（RDS(on)）可减少功耗，延长续航时间。 2. DC-DC转换电路：在同步整流或电压反转电路中作为开关元件，提升转换效率。 3. 信号切换与逻辑控制：适用于多路复用器、电平转换器及小信号开关系统，实现高速响应与低漏电流。 4. 热插拔与过流保护电路：配合控制器实现安全上电管理，防止浪涌电流损坏后级电路。 5. 消费类电子产品：如蓝牙耳机、移动电源、智能家居模块等，满足高集成度和高可靠性需求。 SI1970DH-T1-GE3 具有低阈值电压、良好热稳定性及符合RoHS环保标准，适合自动化贴片生产。其阵列结构简化了PCB布局，提高设计灵活性，是现代紧凑型电子设备中的理想功率开关解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1970DH-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 95pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 225 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 （SOT-363） |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.3A |
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