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  • 型号: SSM6N44FE,LM
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6N44FE,LM由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6N44FE,LM价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6N44FE,LM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SSM6N44FE,LM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSM6N44FE,LM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SSM6N44FE,LM 是 Toshiba Semiconductor and Storage 生产的一款晶体管阵列,属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。以下是该型号的应用场景分析:

 1. 低功耗电路设计
   - SSM6N44FE,LM 具有较低的导通电阻和栅极电荷特性,适用于需要高效能、低功耗的电路设计。例如,在便携式电子设备(如手持终端、智能手表等)中,可以用于电源管理模块或信号切换。

 2. 开关电路
   - 该器件支持高速开关操作,适合用作各种开关电路的核心元件。例如,在 LED 驱动器中,它可以快速控制电流的通断,实现亮度调节或闪烁功能。
   - 在音频设备中,可用于静音控制或其他信号路径的切换。

 3. 负载驱动
   - SSM6N44FE,LM 能够驱动小型电机、继电器或电磁阀等负载。它可以在消费电子产品(如打印机、扫描仪)或家用电器(如吸尘器、电动牙刷)中作为负载驱动器使用。

 4. 电池保护与管理
   - 在电池管理系统(BMS)中,该 MOSFET 阵列可用于过流保护、短路保护或充放电控制。其低导通电阻有助于减少能量损耗,提高系统效率。

 5. 信号处理与放大
   - 由于其优异的电气性能,SSM6N44FE,LM 可用于信号放大或缓冲电路。例如,在通信设备或传感器接口中,可增强弱信号的传输能力。

 6. 汽车电子应用
   - 在车载电子系统中,这款 MOSFET 阵列可用于车身控制模块(BCM)、照明控制系统或辅助驾驶系统的电源管理部分。

 7. 工业自动化
   - 在工业领域,SSM6N44FE,LM 可用于 PLC(可编程逻辑控制器)、继电器替代方案或伺服电机驱动电路中,提供可靠且高效的开关功能。

总之,SSM6N44FE,LM 凭借其高性能参数和稳定性,广泛适用于消费电子、汽车电子、工业自动化以及电池管理等领域,尤其适合对效率和可靠性要求较高的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N44FE点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

SSM6N44FE,LM

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

8.5pF @ 3V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4 欧姆 @ 10mA,4V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24813

产品目录绘图

产品目录页面

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供应商器件封装

ES6(1.6x1.6)

其它名称

SSM6N44FE(TE85LF)DKR
SSM6N44FE(TE85LF)DKR-ND
SSM6N44FELM(TDKR
SSM6N44FELM(TDKR-ND

功率-最大值

150mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100mA

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