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NTMD4820NR2G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMD4820NR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMD4820NR2G价格参考。ON SemiconductorNTMD4820NR2G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 4.9A 750mW 表面贴装 8-SOIC。您可以下载NTMD4820NR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMD4820NR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMD4820NR2G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的晶体管阵列,属于 FET/MOSFET 类型。其具体应用场景包括但不限于以下几类: 1. 电源管理 - 负载开关:该器件可作为负载开关使用,用于控制电路中不同负载的通断,实现节能和保护功能。 - 电压调节:在低压环境中,MOSFET 阵列可用于简单的 DC-DC 转换或线性稳压器设计。 - 电池管理系统 (BMS):适用于小型电池供电设备,帮助实现过流保护、欠压锁定等功能。 2. 信号切换 - 多路复用/解复用:由于 NTMD4820NR2G 是一个 MOSFET 阵列,可以同时控制多个通道的信号切换,适合应用于多路复用器或解复用器场景。 - 音频信号切换:在音频设备中,可用作信号路径的选择开关,实现不同输入源之间的切换。 3. 电机驱动与控制 - 小型直流电机驱动:该器件可用于驱动低功率直流电机,例如玩具电机、风扇等,提供正向/反向控制。 - H 桥电路:通过组合多个 MOSFET,可以构建 H 桥电路以实现电机的速度和方向控制。 4. 消费电子设备 - 智能手机和平板电脑:在便携式设备中,MOSFET 阵列可用于电源路径管理、电池充电保护以及外围接口的开关控制。 - USB 端口保护:在 USB 接口设计中,可用于过流保护和热插拔保护。 5. 工业自动化 - 传感器接口:在工业控制系统中,可用于传感器信号的隔离和切换。 - 继电器替代方案:由于其快速开关特性和低功耗,可以替代传统机械继电器用于某些场合。 6. 汽车电子 - 车身控制模块 (BCM):用于控制车内的灯光、窗户、门锁等低功率负载。 - LED 驱动:在汽车照明系统中,可用于 LED 灯条的亮度调节和开关控制。 总结 NTMD4820NR2G 的主要优势在于其紧凑的设计和高集成度,适用于需要多通道控制的低功率应用。它广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制以及汽车电子等领域,能够满足多种场景下的开关、保护和驱动需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOICMOSFET NFET SO8 30V 8A TR 0.020R |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6.4 A |
Id-连续漏极电流 | 6.4 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMD4820NR2G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTMD4820NR2G |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 1280 mW |
Pd-功率耗散 | 1.28 W |
Qg-GateCharge | 7.7 nC |
Qg-栅极电荷 | 7.7 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 4 ns |
下降时间 | 4 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 940pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.7nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 20 毫欧 @ 7.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | NTMD4820NR2GOSCT |
典型关闭延迟时间 | 21 ns |
功率-最大值 | 750mW |
功率耗散 | 1280 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 20 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 7.7 nC |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 21 S |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 6.4 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.9A |
系列 | NTMD4820N |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |