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  • 型号: NTMD4820NR2G
  • 制造商: ON Semiconductor
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NTMD4820NR2G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTMD4820NR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMD4820NR2G价格参考。ON SemiconductorNTMD4820NR2G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 4.9A 750mW 表面贴装 8-SOIC。您可以下载NTMD4820NR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMD4820NR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTMD4820NR2G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的晶体管阵列,属于 FET/MOSFET 类型。其具体应用场景包括但不限于以下几类:

 1. 电源管理
   - 负载开关:该器件可作为负载开关使用,用于控制电路中不同负载的通断,实现节能和保护功能。
   - 电压调节:在低压环境中,MOSFET 阵列可用于简单的 DC-DC 转换或线性稳压器设计。
   - 电池管理系统 (BMS):适用于小型电池供电设备,帮助实现过流保护、欠压锁定等功能。

 2. 信号切换
   - 多路复用/解复用:由于 NTMD4820NR2G 是一个 MOSFET 阵列,可以同时控制多个通道的信号切换,适合应用于多路复用器或解复用器场景。
   - 音频信号切换:在音频设备中,可用作信号路径的选择开关,实现不同输入源之间的切换。

 3. 电机驱动与控制
   - 小型直流电机驱动:该器件可用于驱动低功率直流电机,例如玩具电机、风扇等,提供正向/反向控制。
   - H 桥电路:通过组合多个 MOSFET,可以构建 H 桥电路以实现电机的速度和方向控制。

 4. 消费电子设备
   - 智能手机和平板电脑:在便携式设备中,MOSFET 阵列可用于电源路径管理、电池充电保护以及外围接口的开关控制。
   - USB 端口保护:在 USB 接口设计中,可用于过流保护和热插拔保护。

 5. 工业自动化
   - 传感器接口:在工业控制系统中,可用于传感器信号的隔离和切换。
   - 继电器替代方案:由于其快速开关特性和低功耗,可以替代传统机械继电器用于某些场合。

 6. 汽车电子
   - 车身控制模块 (BCM):用于控制车内的灯光、窗户、门锁等低功率负载。
   - LED 驱动:在汽车照明系统中,可用于 LED 灯条的亮度调节和开关控制。

 总结
NTMD4820NR2G 的主要优势在于其紧凑的设计和高集成度,适用于需要多通道控制的低功率应用。它广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制以及汽车电子等领域,能够满足多种场景下的开关、保护和驱动需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOICMOSFET NFET SO8 30V 8A TR 0.020R

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

6.4 A

Id-连续漏极电流

6.4 A

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMD4820NR2G-

数据手册

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产品型号

NTMD4820NR2G

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

1280 mW

Pd-功率耗散

1.28 W

Qg-GateCharge

7.7 nC

Qg-栅极电荷

7.7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

20 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

20 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

4 ns

下降时间

4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

940pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

7.7nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

20 毫欧 @ 7.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOIC N

其它名称

NTMD4820NR2GOSCT

典型关闭延迟时间

21 ns

功率-最大值

750mW

功率耗散

1280 mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

20 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8 Narrow

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

7.7 nC

标准包装

1

正向跨导-最小值

21 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

6.4 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.9A

系列

NTMD4820N

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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