Datasheet下载- 型号： IRF9956PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9956PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9956PBF价格参考。International RectifierIRF9956PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF9956PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9956PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的IRF9956PBF是一款P沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的FET类别，采用阵列封装形式。该器件主要适用于需要高效功率控制的应用场景。 IRF9956PBF常用于电源管理系统，如DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的电源控制模块。其P沟道特性使其在高边开关应用中表现出色，例如在电源分配系统中实现高效的电压调节和电流控制。 此外，该MOSFET也广泛应用于工业自动化设备、电机驱动器以及电源逆变器中，尤其适合需要高可靠性和高效率的场合。其低导通电阻和高耐压能力，使其在高温和高负载环境下依然保持稳定性能。 在汽车电子领域，IRF9956PBF也可用于车载电源系统、LED照明驱动和车载充电器等应用，满足汽车工业对元件高稳定性和长寿命的要求。 总之，IRF9956PBF适用于各种功率管理与转换场景，特别是在需要高效能、高稳定性和紧凑设计的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOICMOSFET 30V N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF9956PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF9956PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 6.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
| 上升时间 | 8.8 ns |
| 下降时间 | 3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 190pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 2.2A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 200 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 6.9 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 正向跨导-最小值 | 12 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 3.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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