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Datasheet下载- 型号： DMN2016LHAB-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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DMN2016LHAB-7产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2016LHAB-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2016LHAB-7价格参考。Diodes Inc.DMN2016LHAB-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 N 沟道（双）共漏 Mosfet 阵列 20V 7.5A 1.2W 表面贴装 U-DFN2030-6。您可以下载DMN2016LHAB-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2016LHAB-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 N 沟道（双）共漏 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMN2016LHAB-7 |
| rohs | 含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1550pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15.5 毫欧 @ 4A， 4.5V |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | DMN2016LHAB-7DIDKR |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.5A |
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