Datasheet下载- 型号： CSD87333Q3D
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD87333Q3D由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD87333Q3D价格参考。Texas InstrumentsCSD87333Q3D封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD87333Q3D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD87333Q3D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD87333Q3D是Texas Instruments（德州仪器）推出的一款N沟道MOSFET阵列，属于DrMOS器件，集成了两个30V的功率MOSFET（上下管），专为高效率同步降压转换设计优化。该器件广泛应用于需要高功率密度和高效能的场景。 典型应用场景包括： 1. 服务器与通信设备电源：用于CPU、GPU、ASIC或FPGA的多相位电压调节模块（VRM），支持大电流、低电压输出，满足高性能处理器的动态负载需求。 2. 工业自动化系统：在PLC、电机驱动控制板等设备中作为DC-DC转换核心，提供稳定高效的电源管理。 3. 电信与数据中心电源系统：适用于中间母线转换器或负载点（POL）电源，提升整体能效并减少散热设计复杂度。 4. 高端消费类电子产品：如高性能显卡、游戏主机等需高效供电的场合。 CSD87333Q3D采用耐热增强型SON 3mm×3mm封装，具备低导通电阻（Rdson）、优异的热性能和快速开关特性，有助于减小电路体积、提高转换效率，并降低系统功耗。配合TI的集成驱动器（如TPS536xx系列），可实现紧凑、可靠的电源解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SONMOSFET High Duty Cycle Sync Buck NexFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，5V 驱动 |
| FET类型 | 2 N 沟道（非对称桥） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 15 A |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD87333Q3DNexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD87333Q3D |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 6 W |
| Pd-功率耗散 | 6 W |
| Qg-GateCharge | 4.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 4.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.2 V |
| 上升时间 | 3.9 ns |
| 下降时间 | 2.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 662pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14.3 毫欧 @ 4A， 8V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-VSON （3x3） |
| 其它名称 | 296-37535-6 |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD87333Q3D |
| 功率-最大值 | 6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Texas Instruments |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | VSON-8 FET |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 43 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A |
| 系列 | CSD87333Q3D |
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