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  • 型号: CSD87333Q3D
  • 制造商: Texas Instruments
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD87333Q3D由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD87333Q3D价格参考。Texas InstrumentsCSD87333Q3D封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CSD87333Q3D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD87333Q3D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SONMOSFET High Duty Cycle Sync Buck NexFET

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,5V 驱动

FET类型

2 N 沟道(非对称桥)

Id-ContinuousDrainCurrent

15 A

Id-连续漏极电流

15 A

品牌

Texas Instruments

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD87333Q3DNexFET™

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产品型号

CSD87333Q3D

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

6 W

Pd-功率耗散

6 W

Qg-GateCharge

4.6 nC

Qg-栅极电荷

4.6 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

11.9 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

11.9 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.2 V

上升时间

3.9 ns

下降时间

2.2 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

662pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

4.6nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

14.3 毫欧 @ 4A, 8V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-VSON (3x3)

其它名称

296-37535-6

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD87333Q3D

功率-最大值

6W

包装

Digi-Reel®

商标

Texas Instruments

安装类型

*

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-TDFN 裸露焊盘

封装/箱体

VSON-8 FET

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

43 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

15A

系列

CSD87333Q3D

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