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  • 型号: NVMFD5483NLT3G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NVMFD5483NLT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVMFD5483NLT3G价格参考。ON SemiconductorNVMFD5483NLT3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NVMFD5483NLT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVMFD5483NLT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为 NVMFD5483NLT3G 的 ON Semiconductor 品牌产品是一款包含多个 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的阵列器件,适用于多种高效率、高频开关的应用场景。

该器件常用于 电源管理 和 DC-DC 转换器 中,例如在笔记本电脑、服务器、电信设备和工业控制系统中提供高效的电压调节。由于其低导通电阻和快速开关特性,也适用于 负载开关 和 电机控制 应用,以减少功率损耗并提高系统效率。

此外,NVMFD5483NLT3G 可用于 电池供电设备 中的功率控制,例如移动设备和便携式电子产品,实现对不同功能模块的高效供电管理。在 汽车电子系统 中,该器件也可用于车身控制模块、LED 照明驱动或车载充电系统。

总结而言,NVMFD5483NLT3G 的主要应用场景包括:  
- 电源管理和DC-DC转换  
- 电机控制与负载开关  
- 便携设备电源管理  
- 汽车电子系统中的功率控制  

其高集成度和优异性能使其适用于对空间和效率有较高要求的设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 24A SO8FL

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NVMFD5483NLT3G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

668pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

23.4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

36 毫欧 @ 15A,10V

供应商器件封装

*

功率-最大值

3.1W

包装

*

安装类型

*

封装/外壳

*

标准包装

5,000

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.4A

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