ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 > SI5515CDC-T1-GE3
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SI5515CDC-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5515CDC-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5515CDC-T1-GE3价格参考。VishaySI5515CDC-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 4A 3.1W 表面贴装 1206-8 ChipFET™。您可以下载SI5515CDC-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI5515CDC-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5515CDC-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,属于晶体管 - FET、MOSFET - 阵列类别。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电压调节模块(VRM)中的功率开关。 - 在负载切换中实现高效的功率传输,适用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备。 2. 电机控制 - 用于小型直流电机的驱动和控制,例如风扇、泵或玩具电机。 - 提供低导通电阻(Rds(on)),减少功率损耗并提高效率。 3. 电池管理 - 用作电池保护电路中的开关,防止过充、过放或短路。 - 适用于锂离子电池组、移动电源和电动工具等应用。 4. 信号切换 - 在音频设备、数据通信和工业控制系统中,作为信号路径的开关。 - 支持高速开关操作,确保信号完整性。 5. 负载切换 - 在汽车电子和消费电子产品中,用于动态开启或关闭负载。 - 例如,LED 驱动、USB 端口保护和热插拔应用。 6. 逆变器和转换器 - 用于小型逆变器和光伏系统中的功率转换,提供高效率和低热损耗。 特性优势: - 低导通电阻:降低功耗,提高整体效率。 - 高电流能力:支持大电流负载,适用于多种功率应用。 - 小型封装:节省 PCB 空间,适合紧凑型设计。 - 高可靠性:符合工业标准,适用于严苛环境。 总之,SI5515CDC-T1-GE3 适用于需要高效功率管理、快速开关和低功耗的各类电子设备和系统。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8MOSFET 20V 4A / 4A N & P-CH MOSFET |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
Id-连续漏极电流 | 4 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5515CDC-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI5515CDC-T1-GE3SI5515CDC-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
Pd-功率耗散 | 3.1 W |
Qg-GateCharge | 7.5 nC, 7 nC |
Qg-栅极电荷 | 7.5 nC, 7 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms, 83 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms, 83 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 800mV @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 632pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.3nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 36 毫欧 @ 6A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
其它名称 | SI5515CDC-T1-GE3CT |
功率-最大值 | 3.1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 9.5 S, 22.4 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4A |
配置 | Dual |
零件号别名 | SI5515CDC-GE3 |