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  • 型号: SI5515CDC-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI5515CDC-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI5515CDC-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5515CDC-T1-GE3价格参考。VishaySI5515CDC-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 4A 3.1W 表面贴装 1206-8 ChipFET™。您可以下载SI5515CDC-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI5515CDC-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI5515CDC-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,属于晶体管 - FET、MOSFET - 阵列类别。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电压调节模块(VRM)中的功率开关。
   - 在负载切换中实现高效的功率传输,适用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备。

 2. 电机控制
   - 用于小型直流电机的驱动和控制,例如风扇、泵或玩具电机。
   - 提供低导通电阻(Rds(on)),减少功率损耗并提高效率。

 3. 电池管理
   - 用作电池保护电路中的开关,防止过充、过放或短路。
   - 适用于锂离子电池组、移动电源和电动工具等应用。

 4. 信号切换
   - 在音频设备、数据通信和工业控制系统中,作为信号路径的开关。
   - 支持高速开关操作,确保信号完整性。

 5. 负载切换
   - 在汽车电子和消费电子产品中,用于动态开启或关闭负载。
   - 例如,LED 驱动、USB 端口保护和热插拔应用。

 6. 逆变器和转换器
   - 用于小型逆变器和光伏系统中的功率转换,提供高效率和低热损耗。

 特性优势:
- 低导通电阻:降低功耗,提高整体效率。
- 高电流能力:支持大电流负载,适用于多种功率应用。
- 小型封装:节省 PCB 空间,适合紧凑型设计。
- 高可靠性:符合工业标准,适用于严苛环境。

总之,SI5515CDC-T1-GE3 适用于需要高效功率管理、快速开关和低功耗的各类电子设备和系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8MOSFET 20V 4A / 4A N & P-CH MOSFET

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

4 A

Id-连续漏极电流

4 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5515CDC-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

SI5515CDC-T1-GE3SI5515CDC-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

3.1 W

Pd-功率耗散

3.1 W

Qg-GateCharge

7.5 nC, 7 nC

Qg-栅极电荷

7.5 nC, 7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

30 mOhms, 83 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

30 mOhms, 83 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

800mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

632pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

11.3nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

36 毫欧 @ 6A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

1206-8 ChipFET™

其它名称

SI5515CDC-T1-GE3CT

功率-最大值

3.1W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SMD,扁平引线

封装/箱体

1206-8 ChipFET

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

9.5 S, 22.4 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4A

配置

Dual

零件号别名

SI5515CDC-GE3

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