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Datasheet下载- 型号： FQS4901TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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FQS4901TF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQS4901TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQS4901TF价格参考。Fairchild SemiconductorFQS4901TF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 400V 450mA 2W Surface Mount 8-SOIC。您可以下载FQS4901TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQS4901TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQS4901TF是安森美（ON Semiconductor）推出的一款MOSFET阵列产品，属于N沟道增强型功率MOSFET，采用双芯片封装设计，适用于高效率、低导通电阻的开关应用。该器件常用于需要紧凑设计和高效能转换的电源管理系统中。 其典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中的负载开关或电源管理模块；电池供电系统中的电源切换与保护电路；DC-DC转换器，尤其在同步整流结构中提升转换效率；以及电机驱动、LED驱动和热插拔控制器等低电压、大电流开关场合。 FQS4901TF具有低栅极电荷和低导通电阻（RDS(on)），有助于减少开关损耗和导通损耗，提高整体能效。同时，其小型化封装（如PowerTSSOP-8或类似）节省PCB空间，适合高密度布局的消费类电子产品。此外，良好的热性能和可靠性也使其适用于工业控制和汽车电子中的辅助电源系统。 总之，FQS4901TF凭借高效、小型、可靠的特点，广泛应用于对能效和空间要求较高的中低功率电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 400V 0.45A 8SOPMOSFET 400V Dual N-Ch QFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 450 mA |
| Id-连续漏极电流 | 450 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQS4901TFQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQS4901TF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 400 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 210pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.2 欧姆 @ 225mA，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | FQS4901TFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1.7 S, 0.6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 450mA |
| 系列 | FQS4901 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 零件号别名 | FQS4901TF_NL |
