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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7328PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7328PBF价格参考。International RectifierIRF7328PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7328PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7328PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRF7328PBF是一款双N沟道MOSFET阵列,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:IRF7328PBF常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块中,作为高效的开关元件,能够快速切换以实现稳定的电压输出。 2. 电机驱动:该器件适用于小型直流电机的驱动控制,例如在消费电子产品、玩具、家用电器中,提供高效且低功耗的电机控制解决方案。 3. 负载开关:在便携式设备(如智能手机、平板电脑等)中,用作负载开关以实现电路的动态管理和节能。 4. 信号切换:在多路复用器或信号路由应用中,IRF7328PBF可以用作信号切换的开关,确保信号传输的可靠性和效率。 5. 电池保护:用于电池管理系统中,防止过充、过放或短路等情况发生,保障电池安全和延长使用寿命。 6. 通信设备:在路由器、调制解调器和其他通信设备中,用于信号处理和功率管理,支持稳定的数据传输。 7. 工业自动化:在传感器接口、继电器替代和工业控制电路中,提供高可靠性和耐用性的开关功能。 IRF7328PBF以其低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和出色的热性能,在上述应用中表现出色,同时其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOICMOSFET DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 8 A |
| Id-连续漏极电流 | - 8 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7328PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7328PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 52 nC |
| Qg-栅极电荷 | 52 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 21 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 21 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 98 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2675pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 21 毫欧 @ 8A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 198 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 21 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 52 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
| 漏极连续电流 | - 8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7328.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7328.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |