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产品简介:
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型号为 NVMFD5483NLT1G 的 ON Semiconductor 品牌 MOSFET 属于 FET 阵列器件,主要应用于需要高效功率管理与高开关速度的场合。其典型应用场景包括: 1. 电源管理:适用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等电源电路,提供高效能与低导通损耗。 2. 电机控制:用于直流电机驱动、步进电机控制等工业自动化系统,支持快速开关与高耐压特性。 3. 负载切换与保护:适用于电池管理系统、热插拔电路及电源分配系统,具备过流与短路保护能力。 4. 工业自动化与控制系统:用于 PLC、传感器模块及工业变频器中,实现对高功率负载的精确控制。 5. 通信设备:在电信设备和网络硬件中用于电源调节和负载管理。 6. 汽车电子:适用于车载电源系统、电动工具及车载充电器等场景,符合汽车级可靠性要求。 该器件采用小型封装,集成多个 MOSFET 单元,节省 PCB 空间,适用于高密度设计。其低导通电阻(Rds(on))和高电流能力使其在中低功率应用中表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 24A SO8FL |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NVMFD5483NLT1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 668pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23.4nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 36 毫欧 @ 15A,10V |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 3.1W |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
标准包装 | 1,500 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.4A |