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产品简介:
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ALD110800APCL是由Advanced Linear Devices Inc.(ALD)生产的一款MOSFET阵列器件,属于模拟集成电路中的一部分。该器件内部集成了多个匹配良好的MOSFET晶体管,通常用于需要高精度和稳定性的模拟电路设计中。 其主要应用场景包括: 1. 模拟乘法器/除法器:由于内部MOSFET具有良好的匹配特性,适用于构建模拟信号处理电路,如乘法器和除法器。 2. 运算放大器设计:可用于构建高性能的运算放大器或作为放大电路中的关键元件,提高电路的线性度与稳定性。 3. 电压控制振荡器(VCO):在通信系统中,用于频率合成和调制解调电路中,实现电压控制的频率输出。 4. 传感器接口电路:用于精密传感器信号调理,如电流镜、差分放大等电路,提升测量精度。 5. 低功耗模拟系统:该器件可在低电压和低功耗条件下工作,适合便携式设备或电池供电系统中的模拟处理模块。 6. 教育与实验用途:因其结构清晰、性能稳定,常用于电子工程教学和科研实验中,帮助学生理解MOSFET阵列的工作原理与应用设计。 总之,ALD110800APCL广泛应用于需要高精度、良好匹配性和稳定性的模拟电路设计领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Depletion |
| 描述 | MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIPMOSFET Quad EPAD(R) N-Ch |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 4 N 沟道,配对 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 mA |
| Id-连续漏极电流 | 12 mA |
| 品牌 | Advanced Linear Devices Inc |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Advanced Linear Devices ALD110800APCLEPAD®, Zero Threshold™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ALD110800APCL |
| Pd-PowerDissipation | 500 mW |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 500 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 500 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 10 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10.6 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10.6 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 10mV @ 1µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2.5pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 500 欧姆 @ 4V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 16-PDIP |
| 其它名称 | 1014-1016 |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Advanced Linear Devices |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | 16-DIP(0.300",7.62mm) |
| 封装/箱体 | PDIP-16 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 0.0014 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 10.6V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | - |
| 系列 | ALD110800A |
| 通道模式 | Depletion |
| 配置 | Quad |