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Datasheet下载- 型号： QS8M13TCR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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QS8M13TCR产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供QS8M13TCR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 QS8M13TCR价格参考。ROHM SemiconductorQS8M13TCR封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 6A，5A 1.5W 表面贴装 TSMT8。您可以下载QS8M13TCR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有QS8M13TCR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | QS8M13TCR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 390pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 28 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | TSMT8 |
| 其它名称 | QS8M13TCRDKR |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A，5A |
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