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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SP8K1FU6TB由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SP8K1FU6TB价格参考。ROHM SemiconductorSP8K1FU6TB封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SP8K1FU6TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SP8K1FU6TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SP8K1FU6TB 是由罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款MOSFET阵列产品,主要应用于需要高效功率控制和小型化设计的电子设备中。该器件集成了多个MOSFET晶体管,有助于减少外围电路复杂度,提高系统可靠性。 其典型应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、电源开关等场合,尤其适合对效率和散热要求较高的低电压电源系统。 2. 电机驱动:可用于小型电机或步进电机的驱动电路中,实现对电机的启停、方向控制及调速功能。 3. 负载开关:在需要频繁开启和关闭负载的系统中,如LED照明控制、风扇控制等,SP8K1FU6TB可作为高效电子开关使用。 4. 工业自动化设备:适用于PLC、传感器模块、继电器替代方案等工业控制设备中,实现信号隔离与功率切换。 5. 汽车电子:因其高可靠性和小型封装,适用于车载电源系统、ECU控制模块等对空间和稳定性有要求的汽车应用。 该器件采用小型封装,便于在空间受限的设计中使用,同时具备良好的热稳定性和响应速度,适合中低功率应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 5A 8SOIC |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | Rohm Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SP8K1FU6TB |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 230pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.5nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 51 毫欧 @ 5A,10V |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A |