Datasheet下载- 型号： SI4286DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4286DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4286DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4286DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4286DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4286DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4286DY-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道 MOSFET 阵列，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度，适用于多种电子应用领域。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 负载切换：用于控制电路中负载的通断，例如在电池供电设备中实现高效的负载切换。 - DC-DC 转换器：作为同步整流器或开关元件，应用于降压、升压或反相转换器中，提高效率并降低功耗。 - 电源保护：通过快速响应过流或短路情况，保护电路免受损坏。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于消费电子、家用电器中的小型直流电机驱动，提供高效且可靠的开关性能。 - H 桥电路：在双向电机控制中，MOSFET 阵列可以构成 H 桥结构，实现电机的正转、反转和制动。 3. 信号切换 - 模拟信号切换：用于多路复用器或多路选择器中，切换不同的信号路径而不影响信号完整性。 - 高速数据切换：支持高频信号的快速切换，适用于通信和数据传输领域。 4. 便携式设备 - 电池管理系统 (BMS)：在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中，用于电池充放电控制和保护。 - USB 电源开关：用于 USB 端口的电源管理，支持快速充电功能并防止过流。 5. 工业自动化 - 传感器接口：用于工业传感器的信号处理和功率控制，确保系统的稳定性和可靠性。 - 继电器替代：由于其固态特性，可替代传统机械继电器，实现更长寿命和更高效率的开关操作。 6. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降器、雨刷控制系统、座椅调节等需要低功耗和高可靠性的应用。 - LED 照明控制：用于汽车内外部 LED 灯的驱动和调光。 SI4286DY-T1-GE3 凭借其紧凑的封装（TSSOP）、低导通电阻（典型值为 15mΩ）以及出色的热性能，非常适合需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SOMOSFET 40 Volts 7 Amps 2.9 Watts |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix Si4286DY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4286DY-T1-GE3Si4286DY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.9 W |
| Pd-功率耗散 | 2.9 W |
| Qg-GateCharge | 6.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 27 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 27 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 375pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 32.5 毫欧 @ 8A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4286DY-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 功率-最大值 | 2.9W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 27 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 27 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A |
| 系列 | SI428xDY |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI4286DY-GE3 |
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