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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美)的NVMFD5483NLWFT3G是一款MOSFET阵列产品,属于N沟道功率MOSFET,采用先进的TrenchFET®技术制造。该器件集成两个MOSFET于单一封装中,具有低导通电阻(RDS(on))、高开关效率和优良的热性能,适用于需要高效能与紧凑设计的电源管理系统。 其主要应用场景包括: 1. DC-DC转换器:广泛用于笔记本电脑、服务器及通信设备中的降压(Buck)或升压(Boost)转换电路,实现高效电压调节。 2. 电源管理单元(PMU):在便携式电子产品(如平板电脑、智能手机)中作为负载开关或电源路径控制元件,提升能效并降低待机功耗。 3. 电机驱动电路:适用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动设计,常见于打印机、家电控制模块等消费类电子设备。 4. 热插拔与电源分配系统:用于工业控制、网络交换机和电信设备中,提供过流保护和软启动功能,确保系统稳定运行。 5. LED背光驱动:在LCD显示设备中用于精确控制LED电流,实现亮度调节与节能。 该器件符合RoHS标准,支持无铅焊接,具备良好的可靠性和温度稳定性,适合在严苛环境中长期工作。其小型化封装(如PowerLFPAK或类似)有助于节省PCB空间,满足现代电子产品对高集成度的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 24A SO8FL |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVMFD5483NLWFT3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 668pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 36 毫欧 @ 15A,10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.4A |