数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7228DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7228DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7228DN-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI7228DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7228DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7228DN-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,广泛应用于多种电子设备中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 负载开关:用于控制电路中的电流流动,实现高效负载切换。 - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中作为开关元件,提高电源转换效率。 - 电池管理:用于电池保护电路,防止过充、过放或短路。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:适用于玩具、家用电器等低功率电机的启动和停止控制。 - H 桥电路:用于双向电机驱动,支持正转和反转操作。 3. 信号切换 - 信号路由:在多路复用器或多路选择器中切换不同的信号路径。 - 音频信号切换:用于音频设备中切换输入或输出信号。 4. 便携式设备 - 智能手机和平板电脑:用于内部电源管理和外设接口控制。 - USB 充电保护:防止过流和短路,确保充电安全。 5. 工业应用 - 传感器接口:用于工业自动化系统中传感器信号的隔离与放大。 - 继电器替代:由于其快速开关特性和低功耗,可替代传统机械继电器。 6. 汽车电子 - 车身控制系统:如车窗升降、座椅调节等需要低功耗和高可靠性的场景。 - LED 照明驱动:用于汽车内外照明系统的亮度调节和保护。 SI7228DN-T1-GE3 的低导通电阻(Rds(on))和小封装尺寸(DFN2020-2),使其非常适合空间受限且需要高效能的应用场合。此外,其出色的热性能和电气特性也保证了在各种复杂环境下的稳定运行。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8MOSFET 30V 26A 23W 20mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 8.8 A |
Id-连续漏极电流 | 8.8 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7228DN-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI7228DN-T1-GE3SI7228DN-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 2.6 W |
Pd-功率耗散 | 2.6 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 12 ns, 10 ns |
下降时间 | 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 480pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 20 毫欧 @ 8.8A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 Dual |
其它名称 | SI7228DN-T1-GE3DKR |
典型关闭延迟时间 | 12 ns, 15 ns |
功率-最大值 | 23W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 |
封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 26A |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |
零件号别名 | SI7228DN-GE3 |