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产品简介:
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NVMFD5489NLWFT3G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款MOSFET阵列产品,属于双N沟道增强型功率MOSFET,采用4引脚DFN封装,具备低导通电阻和高效率特性。该器件广泛应用于对空间和能效要求较高的场景。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流电路及负载开关,提升电源转换效率,降低功耗。 2. 电池供电设备:如便携式电子产品(智能手机、平板电脑、移动电源等),因其低导通电阻和小封装,有助于延长电池续航并节省PCB空间。 3. 电机驱动:用于小型直流电机或步进电机的控制电路中,提供快速开关响应和良好热性能。 4. LED照明驱动:在LED恒流驱动或调光电路中作为开关元件,实现高效稳定的亮度控制。 5. 消费类电子与工业控制:适用于各类需要高效开关功能的小功率控制系统,如电源分配、信号切换等。 该器件还具备符合RoHS标准、无卤素、汽车级可靠性等特点,因此也适合用于车载电子辅助系统。其优化的栅极设计降低了开关损耗,提升了整体系统效率,是中小功率应用中的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 12A DFN8 |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NVMFD5489NLWFT3G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 330pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.4nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 65 毫欧 @ 15A,10V |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 3W |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
标准包装 | 5,000 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.5A |