Datasheet下载- 型号： SI5517DU-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5517DU-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5517DU-T1-E3价格参考。VishaySI5517DU-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5517DU-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5517DU-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5517DU-T1-E3 是一款P沟道增强型MOSFET阵列，采用双通道配置，封装小巧（如TSOP-6），适用于空间受限的便携式电子设备。该器件主要应用于需要低电压、低功耗开关控制的场景。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，实现高效节能。 2. 信号切换：在便携设备中用于音频、数据或模拟信号的切换，因其低导通电阻（RDS(on)）和快速响应特性，能减少信号损耗。 3. 逻辑电平转换：配合其他MOSFET构成电平转换电路，适用于不同电压域之间的信号传输，如1.8V与3.3V系统间通信。 4. 电机驱动与继电器驱动：在小型直流电机或电磁继电器控制中作为开关元件，提供可靠的驱动能力。 5. 热插拔电路保护：用于防止带电插拔时的电流冲击，保护后级电路。 SI5517DU-T1-E3 具有低阈值电压、高开关速度和良好热稳定性，适合高频开关操作。其无铅环保设计也符合RoHS标准，广泛用于消费电子、工业控制和通信模块中。由于是P沟道器件，常用于高端驱动，简化栅极驱动电路设计，降低系统成本。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI5517DU-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 520pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 39 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® ChipFet 双 |
| 其它名称 | SI5517DU-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 8.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® CHIPFET™ 双 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A |
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