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  • 型号: SI9933CDY-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI9933CDY-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI9933CDY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI9933CDY-T1-GE3价格参考。VishaySI9933CDY-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 4A 3.1W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI9933CDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI9933CDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI9933CDY-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 负载开关:SI9933CDY-T1-GE3 的低导通电阻(Rds(on))特性使其非常适合用作负载开关,以控制设备的电源供应。
   - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中,该器件可用作同步整流器,提高效率并降低功耗。
   - 电池管理:用于电池保护电路中,控制电池充放电路径。

 2. 信号切换
   - 音频信号切换:由于其低导通电阻和低电容特性,该器件适合用于音频信号的切换,减少信号失真。
   - 数据线切换:可用于 USB、I2C 或其他高速数据接口的信号切换,确保低插入损耗。

 3. 电机驱动
   - 小型电机控制:适用于驱动小型直流电机或步进电机,提供高效的开关性能。
   - H 桥电路:在双通道设计中,两个 MOSFET 可用于构建 H 桥电路,实现电机的正反转控制。

 4. 保护电路
   - 过流保护:利用 MOSFET 的开关特性,可以设计过流保护电路,防止系统因电流过大而损坏。
   - 短路保护:通过快速响应的开关动作,有效切断短路路径。

 5. 便携式设备
   - 移动设备:广泛应用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的电源管理和信号切换。
   - 可穿戴设备:由于其小型封装(如 TSSOP),适合空间受限的应用场景。

 6. 通信与网络设备
   - 网络交换机:用于网络设备中的信号切换和电源管理。
   - 路由器:为路由器模块提供高效的电源分配和信号隔离。

 总结
SI9933CDY-T1-GE3 的高性能和紧凑封装使其成为需要高效开关和低功耗应用的理想选择。它适用于消费电子、工业自动化、通信设备以及汽车电子等多个领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOICMOSFET 20V 4.0A 3.1W 58mohm @ 4.5V

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

4 A

Id-连续漏极电流

4 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI9933CDY-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SI9933CDY-T1-GE3SI9933CDY-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

58 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

58 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

50 ns

下降时间

13 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

665pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

26nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

58 毫欧 @ 4.8A,4.5V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

SI9933CDY-T1-GE3CT

典型关闭延迟时间

29 ns

功率-最大值

3.1W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8 Narrow

工厂包装数量

2500

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 50 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

SI9933CDY-GE3

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