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NTMD6P02R2G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMD6P02R2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMD6P02R2G价格参考。ON SemiconductorNTMD6P02R2G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 4.8A 750mW 表面贴装 8-SOIC。您可以下载NTMD6P02R2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMD6P02R2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMD6P02R2G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款晶体管,具体为 FET、MOSFET 阵列。它是一种双通道 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。以下是 NTMD6P02R2G 的主要应用场景: 1. 电源管理: NTMD6P02R2G 常用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电压调节模块中。其低导通电阻(Rds(on))特性使其能够高效地处理电流,减少功率损耗。 2. 电机驱动: 该器件适用于小型电机驱动应用,例如步进电机、直流无刷电机(BLDC)等。通过快速开关和精确控制,它可以实现高效的电机速度和方向调节。 3. 负载开关: 在消费类电子产品中,NTMD6P02R2G 可用作负载开关,控制设备的供电状态。例如,在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,它可以帮助优化功耗并延长电池寿命。 4. 信号切换: 它可以用于音频和视频信号的切换,确保信号传输的稳定性和可靠性。在多路复用器或解复用器中,NTMD6P02R2G 提供了低噪声和高精度的性能。 5. 保护电路: 在过流保护、短路保护和热保护电路中,NTMD6P02R2G 的快速响应能力和耐用性使其成为理想选择。它能够有效防止因异常情况导致的设备损坏。 6. 汽车电子: 该器件也适用于汽车电子系统,如车载音响、车窗升降控制器和座椅调节器等。其高温稳定性和可靠性满足了汽车环境的严格要求。 7. 工业自动化: 在工业领域,NTMD6P02R2G 可用于传感器接口、继电器驱动和可编程逻辑控制器(PLC)中,提供高效且稳定的性能。 总之,NTMD6P02R2G 凭借其出色的电气特性和可靠性,适合多种应用场景,尤其是在需要高效功率转换和精确控制的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOICMOSFET 20V 6A P-Channel |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 7.8 A |
Id-连续漏极电流 | - 7.8 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMD6P02R2G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTMD6P02R2G |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 27 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 27 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 65 ns, 20 ns |
下降时间 | 80 ns, 50 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 16V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 33 毫欧 @ 6.2A,4.5V |
产品种类 | MOSFETs- Power and Small Signal |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | NTMD6P02R2GOS |
典型关闭延迟时间 | 50 ns, 85 ns |
功率-最大值 | 750mW |
功率耗散 | 2 W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 27 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
正向跨导-最小值 | 15 S |
汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
漏极连续电流 | - 7.8 A |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.8A |
系列 | NTMD6P02 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual Dual Drain |
闸/源击穿电压 | +/- 12 V |