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  • 型号: NTMD6P02R2G
  • 制造商: ON Semiconductor
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NTMD6P02R2G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTMD6P02R2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMD6P02R2G价格参考。ON SemiconductorNTMD6P02R2G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 4.8A 750mW 表面贴装 8-SOIC。您可以下载NTMD6P02R2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMD6P02R2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTMD6P02R2G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款晶体管,具体为 FET、MOSFET 阵列。它是一种双通道 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。以下是 NTMD6P02R2G 的主要应用场景:

1. 电源管理:  
   NTMD6P02R2G 常用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电压调节模块中。其低导通电阻(Rds(on))特性使其能够高效地处理电流,减少功率损耗。

2. 电机驱动:  
   该器件适用于小型电机驱动应用,例如步进电机、直流无刷电机(BLDC)等。通过快速开关和精确控制,它可以实现高效的电机速度和方向调节。

3. 负载开关:  
   在消费类电子产品中,NTMD6P02R2G 可用作负载开关,控制设备的供电状态。例如,在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,它可以帮助优化功耗并延长电池寿命。

4. 信号切换:  
   它可以用于音频和视频信号的切换,确保信号传输的稳定性和可靠性。在多路复用器或解复用器中,NTMD6P02R2G 提供了低噪声和高精度的性能。

5. 保护电路:  
   在过流保护、短路保护和热保护电路中,NTMD6P02R2G 的快速响应能力和耐用性使其成为理想选择。它能够有效防止因异常情况导致的设备损坏。

6. 汽车电子:  
   该器件也适用于汽车电子系统,如车载音响、车窗升降控制器和座椅调节器等。其高温稳定性和可靠性满足了汽车环境的严格要求。

7. 工业自动化:  
   在工业领域,NTMD6P02R2G 可用于传感器接口、继电器驱动和可编程逻辑控制器(PLC)中,提供高效且稳定的性能。

总之,NTMD6P02R2G 凭借其出色的电气特性和可靠性,适合多种应用场景,尤其是在需要高效功率转换和精确控制的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOICMOSFET 20V 6A P-Channel

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

- 7.8 A

Id-连续漏极电流

- 7.8 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMD6P02R2G-

数据手册

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产品型号

NTMD6P02R2G

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

27 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

27 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

65 ns, 20 ns

下降时间

80 ns, 50 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1700pF @ 16V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

35nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

33 毫欧 @ 6.2A,4.5V

产品种类

MOSFETs- Power and Small Signal

供应商器件封装

8-SOIC N

其它名称

NTMD6P02R2GOS
NTMD6P02R2GOS-ND
NTMD6P02R2GOSTR

典型关闭延迟时间

50 ns, 85 ns

功率-最大值

750mW

功率耗散

2 W

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

27 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8 Narrow

工厂包装数量

2500

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

正向跨导-最小值

15 S

汲极/源极击穿电压

- 20 V

漏极连续电流

- 7.8 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.8A

系列

NTMD6P02

通道模式

Enhancement

配置

Dual Dual Drain

闸/源击穿电压

+/- 12 V

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