| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4830ADY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4830ADY-T1-GE3价格参考。VishaySI4830ADY-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI4830ADY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4830ADY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4830ADY-T1-GE3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列,常用于需要高效功率控制和开关应用的电子系统中。该器件具有低导通电阻、高频率响应和紧凑的封装,适用于以下主要应用场景: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,提高电源转换效率,降低功耗。 2. 电机驱动:在小型电机或步进电机控制电路中作为开关元件,实现对电机转速和方向的精确控制。 3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中,用于高效能电源开关和电池保护电路。 4. 通信设备:在通信模块中用于信号切换和功率放大器偏置控制。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明控制和传感器接口电路。 该MOSFET阵列采用小型化封装,适合高密度PCB布局,广泛应用于便携式电子产品和嵌入式系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 通道(半桥) |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4830ADY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | LITTLE FOOT® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 22 毫欧 @ 7.5A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.7A |